據(jù)《自然》報道，一項(xiàng)小型臨床試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，一種被稱為腦深部電刺激（DBS）的技術(shù)改善了創(chuàng)傷性腦損傷患者的認(rèn)知能力。

健康人腦的彩色核磁共振掃描圖。圖片來源：K H Fung/Science Photo Library

12月4日發(fā)表在《自然-醫(yī)學(xué)》上的試驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，與接受DBS前相比，5名參與者在3個月后的認(rèn)知測試中的完成速度提高了15%至52%。

“對一些參與者來說，這種改善是變革性的，甚至在受傷多年后也是如此?！闭撐淖髡咧?、美國斯坦福大學(xué)神經(jīng)外科醫(yī)生Jaimie Henderson說。

中重度創(chuàng)傷性腦損傷（msTBI）通常是由頭部創(chuàng)傷引起，會導(dǎo)致神經(jīng)元死亡和腦回路斷開，導(dǎo)致長期認(rèn)知困難。有這種損傷的人往往無法恢復(fù)受傷前的生活和工作，美國有500多萬人有msTBI。

MsTBI被認(rèn)為會影響丘腦的神經(jīng)回路，丘腦是靠近大腦中心，與注意力、決策和工作記憶有關(guān)。Henderson和同事希望向丘腦的關(guān)鍵部位施加電流——一種被證明可以激活和恢復(fù)受損神經(jīng)元之間連接的技術(shù)，以改善msTBI患者的認(rèn)知功能。

為了精確靶向丘腦中的神經(jīng)元，研究團(tuán)隊(duì)利用個人的大腦成像數(shù)據(jù)和專門的解剖圖譜，為參與研究的4名男性和1名女性設(shè)計(jì)了個性化的治療方法。

所有參與者都經(jīng)歷了至少兩年的msTBI，他們在兩個大腦半球的丘腦外側(cè)附近植入了電極。手術(shù)后，研究人員花了14天時間微調(diào)了每個參與者的刺激參數(shù)。然后，他們使用植入物以150-185赫茲的頻率施加電流，每天12小時，一共持續(xù)3個月。

為測試參與者的認(rèn)知功能，研究人員使用了一項(xiàng)測試來評估任務(wù)轉(zhuǎn)換、注意力和工作記憶，參與者必須連接按特定幾何模式排列的連續(xù)數(shù)字或字母。

3個月后，結(jié)果顯示，與手術(shù)前相比，參與者在注意力任務(wù)中的表現(xiàn)水平平均提高了30.7%，完成認(rèn)知測試的速度提高了32%。

論文作者之一、美國康奈爾大學(xué)神經(jīng)學(xué)家Nicholas Schiff說，研究團(tuán)隊(duì)希望通過進(jìn)行更大規(guī)模的試驗(yàn)來繼續(xù)這項(xiàng)工作，他們還希望制定一個可靠的方案培訓(xùn)其他中心來提供相關(guān)治療。

相關(guān)論文信息：https://doi.org/10.1038/s41591-023-02638-4

來源：中國科學(xué)報